Les mesures des tensions et des courants ne devraient pas poser de problÚme. Celles des résistances non plus, à condition évidement, que l'appareil soit hors tension, et qu'au moins une des deux connexions de la résistance soit libre, c'est-à -dire "en l'air".
La mesure des diodes et des transistors nécessite quelques précautions et remarques. Nous utiliserons un multimÚtre numérique doté d'une position de mesure des diodes, on voit alors apparaitre le symbole de la diode et la lettre V.
En réalité le multimÚtre numérique se comporte comme un générateur de courant qui délivre environ 1 mA et dont la tension en circuit ouvert est de l'ordre de 1,5 à 3 V. Le multimÚtre se comporte donc comme un voltmÚtre qui mesure la tension aux bornes de la jonction.
On mesurera ainsi une tension de 0,6 V lorsque la jonction est passante et on mesurera une tension Ă©levĂ©e[1] (1,5 Ă 3 V) lorsque la jonction sera dans le sens bloquant, ce qui sera affichĂ© par OL ("Overload"). A fortiori, lorsqu'on court-circuite les deux fils, il n'y a pas de tension et la lecture doit ĂȘtre 0.000.
Sur les dessins qui vont suivre, nous avons représenté de façon symbolique la pointe de test avec ses couleurs rouge ou noire
Les diodes
La diode doit d'abord ĂȘtre isolĂ©e du circuit, soit en le dessoudant du circuit, soit en "levant" une des deux connexions.
La valeur peut varier en fonction du type de diode : 1N4148 : env. 0.564 1N5002 : env. 0.462 1N4007 : env. 0.174 1N5818 : env. 0.168 (Schottky)
Pour les diodes zéner,- il faudra construire une alimentation qui délivre environ 50 V sous un courant de 5 mA (R série de 10 k W) puis mesurer la tension zéner.
Transistors Ă jonction
Tout comme pour la mesure des diodes, le transistor doit d'abord ĂȘtre isolĂ© du circuit, soit en le dessoudant du circuit, soit en "levant" une connexion Ă une rĂ©sistance par exemple. On va considĂ©rer le transistor comme deux diodes. Mais nous savons que la rĂ©alitĂ© est beaucoup plus complexe âŠ
Par conséquent, on fera deux mesures pour chacun des cas.
En mesurant entre C et E on doit avoir "OL", quelles que soient les polarités.
Nous avons représenté le test d'un transistor NPN, pour le transistor PNP, les polarités seraient simplement inversées.
Comment identifier B C E d’un transistor bipolaire ?
On met le fil rouge sur une électrode au hasard, on teste pour avoir la conduction sur les deux autres électrodes. Si tel est le cas, l'électrode sur le fil rouge est la base et le transistor est un NPN. Sinon, continue les recherches ou on inverse les polarités.
Il existe Ă©galement des mesureurs de transistors qui donnent plus d'indications comme le courant de fuite ou le facteur d'amplification en courant (hFE).
Canal N
canal N tel que BS 170 ou IRF510
Les MOSFET utilisent des charges pour produire la conduction. Ils se pourraient que ces charges soient encore présentes, c'est pourquoi, avant toute mesure, il est important de supprimer ces charges qui serraient éventuellement accumulées. Pour ce faire on court-circuite G et S.
Entre D et S d'un MOSFET nous n'aurons plus des chutes de tension de l'ordre de 0,6V, comme nous avions pour les transistors bipolaires mais des valeurs TRES faible puisque le matériau est soit isolant, soit conducteur. Ici il s'agira de conduction avec des valeurs voisines de 0,001 V à 0,003 V ou de non-conduction avec l'affichage "OL".
D- S doit toujours ĂȘtre isolĂ© ("OL") quelle que soit la polaritĂ©.
Dans un premier temps, nous avons éliminé les charges électriques qui auraient pu mener à la conduction en court-circuitant G et S. Dans un second temps nous allons amener quelques charges sur la G en la touchant du doigt ou en réunissant G et D pendant une fraction de seconde, afin de rendre le transistor conducteur.
Ensuite on pourra faire le test suivant en changeant d'état bloqué à état conducteur. On constate que les lectures ne changent pas, quelles que soient les polarités.
Nous avons représenté le test d'un transistor MOSFET canal N à enrichissement ("enhancement") (genre IRF 510 ou BS170). Pour un transistor canal P, les polarités seraient simplement inversées.
Dans la pratique, les tensions mesurées pourraient différer légÚrement des exemples ci-dessus.
ATTENTION : Dans TOUS les cas, un composant qui se rĂ©vĂšle "bon" aux tests ci-dessus pourrait aussi ĂȘtre dĂ©fectueux en rĂ©alitĂ©. Par contre, un composant qui se rĂ©vĂšle "mauvais" aux tests ci-dessus sera TOUJOURS mauvais dans la pratique.
Sources d’inspiration :
Vignette : image générée par l'IA
Electronique
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Pierre Cornelis
A travaillé au sein du département des transmissions à la RTBF et a également occupé un poste au ministÚre. Toujours animé par sa passion pour la radio amateur, il a également assumé des responsabilités administratives à l'UBA et dispense des cours à la section de LiÚge.